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　　市场研究机构The InformatiON Network总裁RobertCastellano表示，半导体产业环境正在恶化，而且领先指标显示该市场即将发生库存修正;他指出，虽然2010年将会是半导体产业经历大幅反弹成长的一年，但好日子恐怕不多了。 Castellano预测，终端电子产品销售将出现下滑，首当而冲的就是DRAM领域;该市场在今年第二季还曾出现过135%的销售成长;此外他也预言，PC销售业绩趋缓，将会对英特尔(Intel)、AMD等微处理器供应商造成负面影响，连带让晶圆代工业者也受到冲

　　据国外媒体报道，三星今天发布了第三季度财报。财报显示，三星营业利润为4.8万亿韩元(约合43亿美元)，低于分析师预期。 三星今天发表声明称，该公司第三季度营业利润由去年同期的4.22万亿韩元(约合37.6亿美元)增长14%至4.8万亿韩元，低于分析师预期的5.03万亿韩元。三星营收增长11%至40万亿韩元(约合356亿美元)。 分析师指出，电视销售放缓打压了液晶面板的价格，影响了三星液晶面板和电视业务的利润。摩根大通分析师贾斯廷帕克(Justin Park)说，由于预计第四

　　这个测试仪的基础是一个皮尔兹CMOS缓冲振荡器（图一）。这种振荡器采用单一CMOS逆变偏频在其线 以形成一个高增益反相放大器。由于这个高增益，这个逆变器比一个非缓冲门消耗的功率低，甚至是很小的信

　　据HKEPC网站报道，市调机构DRAMeXchange指出， 9月份下半DRAM颗粒合约价持续下调， DDR3 1Gb颗粒均价趺破2美元关口， DDR3 2GB模块合约价亦由36美元下调至34美元，跌幅约为5.5% ，而低位更曾经下试33美元新低水平，第三季度DDR3模块合约价下跌约2.3% ，创下至去年年中减产后单季最大跌幅，不仅DDR3内存DDR2合约价亦紧贴DDR3合约价下跌， DDR2 2GB模块合约均价约为33美元水平，跌幅约为6% 。 现货市场方面，由于广州亚运将于11月举办，大陆方

　　据国外媒体报道，研究机构iSuppli已经降低了对2010年半导体销售额的预测，但是它仍预期年底的利润将达到前所未有的3020亿美元。最新的预测显示利润上升了32%，比先前预测的35.1%有所下降。这主要是由于对四季度销售额预期的降低。 据该机构表示说，今年的利润有望比去年同期增长740亿美元，比2007年高280亿美元。根据该公司的预测这将是半导体市场达到巅峰的一年。 产品利润预期会增长43%，DRAM将会在PC市场有一个87%的强劲增长。同时，由于智能手机不断增长的需求，无线通信市场将

　　提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源，工作电压为5～10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性，对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿，设计了一种输出电压为1．3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25～+120℃范围的温度系数为7．427pp-m／℃，在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0．022 mm2，适用于低压差线性稳压嚣等领域。

　　据《日本经济新闻》周三报道，尔必达计划在今年12月开始量产40纳米以下的DRAM芯片，此举预计可节省生产成本约30%。尔必达即将量产的DRAM芯片线纳米，比三星电子的最新制程更小。至目前为止，三星仍是全球首家跨入40纳米制程以下的公司。 报道称呢个，尔必达已开发出的“双重曝光 (double-patterning)”新技术，能用现有的设备来达成更精细制程，而无需进行大规模的资本投资。 尔必达位于日本广岛的工厂，将于12月率先量产新DRAM芯片;瑞晶电子

　　CMOS成像技术的领先创新者ApTIna今日推出其高性能、功能丰富、APS-C格式的1600万像素的图像传感器。特别的设计令该产品可实现专业摄影师所要求的高画质，除了以10帧/秒的速度捕捉1600万像素的静态图像以外，新的MT9H004传感器亦具备较高的灵敏度、较小的暗电流和较低的读出噪声。凭借该公司最新的动态响应(DR)像素技术创新(称为Aptina DR-Pix技术)，新的APS-C格式成像解决方案在低亮度条件下可增加5分贝的信噪比(SNR)，而无需牺牲高亮度环境中的表现。高亮度下的最大信噪比可达

　　甲骨文通过美国子公司在加州北区法院起诉美光科技，指控其涉嫌操纵内存芯片价格，使Sun微系统付出了更高的代价。 甲骨文指控美光与其他内存制造商勾结，人为抬高DRAM(动态随机存储)芯片价格。诉讼书称，在1998年至2002年间，Sun采购了总价超过20亿美元的DRAM芯片。 诉讼书还称，美国司法部指控了世界顶尖的5家DRAM制造商，其中四家今年都已认罪并认罚，但美光科技因与司法部合作而得到赦免。甲骨文在2010年以约70亿美元价格收购了Sun。 韩国芯片制造商海力士半导体的代理律师迈克

　　报道称Elpida计划投资30亿新台币(约合9550万美元)在台湾设立研发中心。 报道引述政府官员的话称Elpida已经向台湾“经济部”申请了财政补助来建立该中心。 Elpida已向Powerchip、ProMOS和Winbond许可了其DRAM工艺技术，已换取台湾合作伙伴的产能。

　　市场研究机构The Information Network总裁Robert Castellano表示，半导体产业环境正在恶化，而且领先指标显示该市场即将发生库存修正;他指出，虽然2010年将会是半导体产业经历大幅反弹成长的一年，但好日子恐怕不多了。 Castellano预测，终端电子产品销售将出现下滑，首当而冲的就是DRAM领域;该市场在今年第二季还曾出现过135%的销售成长;此外他也预言，PC销售业绩趋缓，将会对英特尔(Intel)、AMD等微处理器供应商造成负面影响，连带让晶圆代工业者也受到

　　逻辑LSI的基本元件——CMOS晶体管的发展估计将在2013年前后15nm工艺达到量产水平时迎来重大转折点。将由现行的平面型晶体管向具备三维沟道的立体型晶体管过渡。美国英特尔及台积电(TSMC)等知名半导体厂商均已开始表现出这种技术意向。LSI的制造技术发生巨变之后，估计也会对各公司的微细化竞争带来影响。 元件材料及曝光技术也会出现转折 “估计一多半的半导体厂商都会在15nm工艺时向FinFET过渡”(英特尔)。“在20nm以

　　据iSuppli市调公司发布的调查报告显示，内存业界生产DRAM芯片的平均制造成本出现了四年以来的首次正增长，不过据iSuppli公司分析，芯片 制造成本正增长的局面有望在数个季度之内有所缓解。根据统计数据显示，今年第二季度内存芯片的制造成本从上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元 /GB，尽管提升的幅度仅有1.2%，但这是四年以来的首次成本正增长，相比之下，2005年至今的制造成本提升幅度则平均仅-9.2%。 据分析，造成内存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的复杂度和技术要求越来越

　　韩国电子时报报导，DRAM价格在15天内暴跌10%，1Gb DDR3价格恐将跌至2美元线。价格跌落幅度超过预测值，不只三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，设备业者也感到相当紧张。据市调机构DRAMeXange统计，1Gb DDR3 9月初固定交易价格较15天前跌落10.60%至2.09美元，这是DDR3自2009年1月上市以来，固定交易价格最大跌幅。甫推出DDR3时，价格仅 在1美元在线美元线。 D

　　全球半导体经受金融危机后正迈入新一轮的增长时期，各家市场分析公司几乎都报道了2010年半导体有30%的增长，达到2900亿美元。 半导体业步入新时期 由于半导体业已逼近摩尔定律的终点，业界的变化规律开始发生变异，使得半导体业正进入一个崭新时期。新时期最明显的特点可以归结为增长趋缓，未来年均增长率在6%～7%;研发费用高耸，只有很少几家厂有能力继续跟踪，大多数顶级半导体厂都采用外协合作方案。工业的趋势可能会形成英特尔CPU，三星存储器及“fabless(无生产线半导体公司)+代工